| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TDM2618 |
| Référence EBEE | E82935195 |
| Boîtier | DFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | 60V 47A 36.7W 1 N-channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5118 | $ 0.5118 |
| 10+ | $0.4122 | $ 4.1220 |
| 30+ | $0.3632 | $ 10.8960 |
| 100+ | $0.3126 | $ 31.2600 |
| 500+ | $0.2835 | $ 141.7500 |
| 1000+ | $0.2682 | $ 268.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | Techcode TDM2618 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 9mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 36.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 47A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.6nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 235pF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5118 | $ 0.5118 |
| 10+ | $0.4122 | $ 4.1220 |
| 30+ | $0.3632 | $ 10.8960 |
| 100+ | $0.3126 | $ 31.2600 |
| 500+ | $0.2835 | $ 141.7500 |
| 1000+ | $0.2682 | $ 268.2000 |
