| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC4D40120D |
| Référence EBEE | E87435101 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1.2kV 1.5V 56.5A TO-247-3 SiC Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2412 | $ 5.2412 |
| 10+ | $4.4799 | $ 44.7990 |
| 30+ | $4.0291 | $ 120.8730 |
| 90+ | $3.5719 | $ 321.4710 |
| 600+ | $3.3607 | $ 2016.4200 |
| 900+ | $3.2661 | $ 2939.4900 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC4D40120D | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 200uA@1200V | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 56.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2412 | $ 5.2412 |
| 10+ | $4.4799 | $ 44.7990 |
| 30+ | $4.0291 | $ 120.8730 |
| 90+ | $3.5719 | $ 321.4710 |
| 600+ | $3.3607 | $ 2016.4200 |
| 900+ | $3.2661 | $ 2939.4900 |
