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SUPSiC GC4D30120D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC4D30120D |
| Référence EBEE | E87435100 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1.2kV 1.5V 44A TO-247-3 SiC Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC4D30120D | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 200uA@1200V | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@15A | |
| Current - Rectified | 44A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 100A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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