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SUPSiC GC4D20120H
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC4D20120H |
| Référence EBEE | E87435089 |
| Boîtier | TO-247-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1.2kV 1.5V 54A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7203 | $ 2.7203 |
| 10+ | $2.3389 | $ 23.3890 |
| 30+ | $1.7835 | $ 53.5050 |
| 90+ | $1.5382 | $ 138.4380 |
| 600+ | $1.4290 | $ 857.4000 |
| 900+ | $1.3800 | $ 1242.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC4D20120H | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 200uA@1200V | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 54A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 130A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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| 30+ | $1.7835 | $ 53.5050 |
| 90+ | $1.5382 | $ 138.4380 |
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