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SUPSiC GC4D10120H
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC4D10120H |
| Référence EBEE | E87435087 |
| Boîtier | TO-247-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1.2kV 1.5V 31.5A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC4D10120H | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 250uA@1200V | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 31.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 67A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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