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SUPSiC GC4D08120A
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC4D08120A |
| Référence EBEE | E87435075 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1.2kV 1.5V 24.5A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4067 | $ 1.4067 |
| 10+ | $1.1650 | $ 11.6500 |
| 50+ | $1.0215 | $ 51.0750 |
| 100+ | $0.8718 | $ 87.1800 |
| 500+ | $0.8048 | $ 402.4000 |
| 1000+ | $0.7751 | $ 775.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC4D08120A | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 35uA@1200V | |
| Configuration à diode | 1 Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 24.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 64A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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| 50+ | $1.0215 | $ 51.0750 |
| 100+ | $0.8718 | $ 87.1800 |
| 500+ | $0.8048 | $ 402.4000 |
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