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SUPSiC GC3D10065H
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC3D10065H |
| Référence EBEE | E821547380 |
| Boîtier | TO-247-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 1.5V 30A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6592 | $ 1.6592 |
| 10+ | $1.3972 | $ 13.9720 |
| 30+ | $1.2527 | $ 37.5810 |
| 90+ | $1.0892 | $ 98.0280 |
| 450+ | $1.0162 | $ 457.2900 |
| 900+ | $0.9828 | $ 884.5200 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | SUPSiC GC3D10065H | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 60uA@650V | |
| Configuration à diode | - | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 30A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 90A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $1.3972 | $ 13.9720 |
| 30+ | $1.2527 | $ 37.5810 |
| 90+ | $1.0892 | $ 98.0280 |
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