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STMicroelectronics STPSC4H065DI
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STPSC4H065DI |
| Référence EBEE | E8191375 |
| Boîtier | TO-220ACins |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 1.75V@4A 4A TO-220ACins SiC Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 10+ | $1.3438 | $ 13.4380 |
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| 100+ | $1.0205 | $ 102.0500 |
| 500+ | $0.9469 | $ 473.4500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics STPSC4H065DI | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 40uA@650V | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.75V@4A | |
| Current - Rectified | 4A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 38A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
Guide d’achat
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| 10+ | $1.3438 | $ 13.4380 |
| 30+ | $1.1844 | $ 35.5320 |
| 100+ | $1.0205 | $ 102.0500 |
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