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STMicroelectronics STPSC4H065B-TR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STPSC4H065B-TR |
| Référence EBEE | E8191032 |
| Boîtier | TO-252(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 1.75V@4A 4A TO-252-2(DPAK) SiC Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6101 | $ 1.6101 |
| 10+ | $1.5737 | $ 15.7370 |
| 30+ | $1.5499 | $ 46.4970 |
| 100+ | $1.5277 | $ 152.7700 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | STMicroelectronics STPSC4H065B-TR | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 40uA@650V | |
| Configuration à diode | 1 Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.75V@4A | |
| Current - Rectified | 4A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 38A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6101 | $ 1.6101 |
| 10+ | $1.5737 | $ 15.7370 |
| 30+ | $1.5499 | $ 46.4970 |
| 100+ | $1.5277 | $ 152.7700 |
