| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STP95N4F3 |
| Référence EBEE | E82971377 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 80A 110W 5mΩ@10V,40A 2V@250uA TO-220-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6043 | $ 2.6043 |
| 10+ | $2.5461 | $ 25.4610 |
| 30+ | $2.5093 | $ 75.2790 |
| 100+ | $2.4710 | $ 247.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STP95N4F3 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 6.2mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 580pF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6043 | $ 2.6043 |
| 10+ | $2.5461 | $ 25.4610 |
| 30+ | $2.5093 | $ 75.2790 |
| 100+ | $2.4710 | $ 247.1000 |
