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STMicroelectronics STF35N65DM2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STF35N65DM2 |
| Référence EBEE | E85268673 |
| Boîtier | TO-220FP |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 32A 40W 0.11Ω@10V,16A 5V@250uA 1 N-channel TO-220FP MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $7.2228 | $ 72.2280 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STF35N65DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 110mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.54nF | |
| Gate Charge(Qg) | 56.3nC@520V |
Guide d’achat
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