| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD9NM50N |
| Référence EBEE | E8500965 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 550V 5A 0.73Ω@10V,2.5A 45W 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1378 | $ 1.1378 |
| 10+ | $1.1147 | $ 11.1470 |
| 30+ | $1.0988 | $ 32.9640 |
| 100+ | $1.0828 | $ 108.2800 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD9NM50N | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 550V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.73Ω@10V,2.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 45W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.2pF@50V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 364pF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 14nC@400V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1378 | $ 1.1378 |
| 10+ | $1.1147 | $ 11.1470 |
| 30+ | $1.0988 | $ 32.9640 |
| 100+ | $1.0828 | $ 108.2800 |
