| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD80N4F6 |
| Référence EBEE | E8457498 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 80A 70W 5.5mΩ@10V,40A 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7069 | $ 2.7069 |
| 10+ | $2.6519 | $ 26.5190 |
| 30+ | $2.6146 | $ 78.4380 |
| 100+ | $2.5755 | $ 257.5500 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD80N4F6 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 40V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 80A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5.5mΩ@10V,40A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 70W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 160pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.15nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 36nC@20V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7069 | $ 2.7069 |
| 10+ | $2.6519 | $ 26.5190 |
| 30+ | $2.6146 | $ 78.4380 |
| 100+ | $2.5755 | $ 257.5500 |
