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STMicroelectronics STD7NM60N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD7NM60N |
| Référence EBEE | E8200450 |
| Boîtier | TO-252(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 5A 900mΩ@10V,2.5A 45W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6237 | $ 0.6237 |
| 10+ | $0.5025 | $ 5.0250 |
| 30+ | $0.4419 | $ 13.2570 |
| 100+ | $0.3812 | $ 38.1200 |
| 500+ | $0.3446 | $ 172.3000 |
| 1000+ | $0.3270 | $ 327.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD7NM60N | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 900mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 363pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 30+ | $0.4419 | $ 13.2570 |
| 100+ | $0.3812 | $ 38.1200 |
| 500+ | $0.3446 | $ 172.3000 |
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