Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

STMicroelectronics STD7N80K5


Fabricant
Référence Fabricant
STD7N80K5
Référence EBEE
E8457497
Boîtier
DPAK
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
800V 6A 110W 0.95Ω@10V,3A 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>

En stock : Veuillez vous renseigner

Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.

Nom du contact
E-mail professionnel
Nom de l'entreprise
Pays
Qualité
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$2.1276$ 2.1276
10+$2.0770$ 20.7700
30+$2.0445$ 61.3350
100+$2.0120$ 201.2000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Fiche TechniqueST STD7N80K5
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)800V
Courant de drainage continu (Id)6A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)0.95Ω@10V,3A
Dissipation de puissance (Pd)110W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)3V@100uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)1pF@100V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)360pF@100V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)13.4nC@640V

Guide d’achat

Développer