| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD7N80K5 |
| Référence EBEE | E8457497 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 6A 110W 0.95Ω@10V,3A 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1276 | $ 2.1276 |
| 10+ | $2.0770 | $ 20.7700 |
| 30+ | $2.0445 | $ 61.3350 |
| 100+ | $2.0120 | $ 201.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD7N80K5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 6A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.95Ω@10V,3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 110W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@100uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 360pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 13.4nC@640V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1276 | $ 2.1276 |
| 10+ | $2.0770 | $ 20.7700 |
| 30+ | $2.0445 | $ 61.3350 |
| 100+ | $2.0120 | $ 201.2000 |
