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STMicroelectronics STD7N60M2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD7N60M2 |
| Référence EBEE | E8222089 |
| Boîtier | TO-252(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 5A 60W 950mΩ@10V,2.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 1+ | $1.2633 | $ 1.2633 |
| 10+ | $1.0371 | $ 10.3710 |
| 30+ | $0.9139 | $ 27.4170 |
| 100+ | $0.7736 | $ 77.3600 |
| 500+ | $0.7112 | $ 355.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD7N60M2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 950mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 271pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.8nC@10V |
Guide d’achat
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| 100+ | $0.7736 | $ 77.3600 |
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