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STMicroelectronics STD6N62K3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD6N62K3 |
| Référence EBEE | E8500962 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 620V 5.5A 950mΩ@10V,2.8A 90W 4.5V@50uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD6N62K3 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 950mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 17pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 620V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
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