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STMicroelectronics STD64N4F6AG
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD64N4F6AG |
| Référence EBEE | E8157430 |
| Boîtier | TO-252-2(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V 54A 60W 8.2mΩ@10V,27A 4.5V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1397 | $ 1.1397 |
| 10+ | $0.9479 | $ 9.4790 |
| 30+ | $0.8520 | $ 25.5600 |
| 100+ | $0.7580 | $ 75.8000 |
| 500+ | $0.7012 | $ 350.6000 |
| 1000+ | $0.6728 | $ 672.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD64N4F6AG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 40V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 54A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 8.2mΩ@10V,27A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 60W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4.5V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.415nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 44nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1397 | $ 1.1397 |
| 10+ | $0.9479 | $ 9.4790 |
| 30+ | $0.8520 | $ 25.5600 |
| 100+ | $0.7580 | $ 75.8000 |
| 500+ | $0.7012 | $ 350.6000 |
| 1000+ | $0.6728 | $ 672.8000 |
