| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD5N60DM2 |
| Référence EBEE | E8500960 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 3.5A 1.38Ω@10V,1.75A 45W 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5911 | $ 0.5911 |
| 10+ | $0.5787 | $ 5.7870 |
| 30+ | $0.5698 | $ 17.0940 |
| 100+ | $0.5627 | $ 56.2700 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD5N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3.5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.38Ω@10V,1.75A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 45W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3.5pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 214pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | - |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5911 | $ 0.5911 |
| 10+ | $0.5787 | $ 5.7870 |
| 30+ | $0.5698 | $ 17.0940 |
| 100+ | $0.5627 | $ 56.2700 |
