| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD4N90K5 |
| Référence EBEE | E8500958 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 900V 3A 2.1Ω@10V,1A 60W 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1389 | $ 2.1389 |
| 10+ | $1.8602 | $ 18.6020 |
| 30+ | $1.6862 | $ 50.5860 |
| 100+ | $1.5088 | $ 150.8800 |
| 500+ | $1.4272 | $ 713.6000 |
| 1000+ | $1.3916 | $ 1391.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD4N90K5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 900V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.1Ω@10V,1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 60W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@100uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 173pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 5.3nC@720V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1389 | $ 2.1389 |
| 10+ | $1.8602 | $ 18.6020 |
| 30+ | $1.6862 | $ 50.5860 |
| 100+ | $1.5088 | $ 150.8800 |
| 500+ | $1.4272 | $ 713.6000 |
| 1000+ | $1.3916 | $ 1391.6000 |
