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STMicroelectronics STD4N80K5
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD4N80K5 |
| Référence EBEE | E8472540 |
| Boîtier | TO-252(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 3A 2.5Ω@10V,1.5A 60W 4V@100uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.8019 | $ 8.0190 |
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| 100+ | $0.7151 | $ 71.5100 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD4N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 2.5Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 175pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@640V |
Guide d’achat
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| 500+ | $0.6952 | $ 347.6000 |
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