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STMicroelectronics STD4LN80K5
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD4LN80K5 |
| Référence EBEE | E8500957 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 3A 2.6Ω@10V,1A 60W 4V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2426 | $ 1.2426 |
| 10+ | $1.2142 | $ 12.1420 |
| 30+ | $1.1963 | $ 35.8890 |
| 100+ | $1.1786 | $ 117.8600 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD4LN80K5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.6Ω@10V,1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 60W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@100uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.3pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 122pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 3.7nC@640V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2426 | $ 1.2426 |
| 10+ | $1.2142 | $ 12.1420 |
| 30+ | $1.1963 | $ 35.8890 |
| 100+ | $1.1786 | $ 117.8600 |
