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STMicroelectronics STD3N62K3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD3N62K3 |
| Référence EBEE | E82971181 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 620V 2.7A 2.5Ω@10V,1.4A 45W 4.5V@50uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9373 | $ 0.9373 |
| 200+ | $0.3629 | $ 72.5800 |
| 500+ | $0.3502 | $ 175.1000 |
| 1000+ | $0.3447 | $ 344.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD3N62K3 | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 620V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 2.7A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,1.4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 45W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4.5V@50uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 385pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 13nC@10V |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 1+ | $0.9373 | $ 0.9373 |
| 200+ | $0.3629 | $ 72.5800 |
| 500+ | $0.3502 | $ 175.1000 |
| 1000+ | $0.3447 | $ 344.7000 |
