| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD15N50M2AG |
| Référence EBEE | E8500951 |
| Boîtier | DPAK(TO-252) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 10A 0.336Ω@10V,5A 85W 2V@250uA 1 N-channel DPAK(TO-252) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1471 | $ 3.1471 |
| 10+ | $3.0779 | $ 30.7790 |
| 30+ | $3.0317 | $ 90.9510 |
| 100+ | $2.9856 | $ 298.5600 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD15N50M2AG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.336Ω@10V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 85W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.8pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 530pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 13nC@400V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1471 | $ 3.1471 |
| 10+ | $3.0779 | $ 30.7790 |
| 30+ | $3.0317 | $ 90.9510 |
| 100+ | $2.9856 | $ 298.5600 |
