| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD130N6F7 |
| Référence EBEE | E82970180 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 80A 134W 5mΩ@10V,40A 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0035 | $ 2.0035 |
| 200+ | $0.7767 | $ 155.3400 |
| 500+ | $0.7496 | $ 374.8000 |
| 1000+ | $0.7350 | $ 735.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD130N6F7 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 80A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5mΩ@10V,40A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 134W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 115pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.6nF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 42nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0035 | $ 2.0035 |
| 200+ | $0.7767 | $ 155.3400 |
| 500+ | $0.7496 | $ 374.8000 |
| 1000+ | $0.7350 | $ 735.0000 |
