| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD10P10F6 |
| Référence EBEE | E82971627 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 10A 0.18Ω@10V,5A 40W 2V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3625 | $ 0.3625 |
| 10+ | $0.3536 | $ 3.5360 |
| 30+ | $0.3483 | $ 10.4490 |
| 100+ | $0.3271 | $ 32.7100 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD10P10F6 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.18Ω@10V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 40W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 25pF@80V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 864pF@80V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 16.5nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3625 | $ 0.3625 |
| 10+ | $0.3536 | $ 3.5360 |
| 30+ | $0.3483 | $ 10.4490 |
| 100+ | $0.3271 | $ 32.7100 |
