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STMicroelectronics STD10N60M6
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD10N60M6 |
| Référence EBEE | E83277921 |
| Boîtier | DPAK(TO-252) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 6.4A 520mΩ@10V,3.2A 60W 4.75V@250uA 1 N-channel DPAK(TO-252) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4143 | $ 1.4143 |
| 200+ | $0.5483 | $ 109.6600 |
| 500+ | $0.5289 | $ 264.4500 |
| 1000+ | $0.5199 | $ 519.9000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | ST STD10N60M6 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 6.4A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 520mΩ@10V,3.2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 60W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4.75V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3.88pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 338pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 8.8nC@010V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4143 | $ 1.4143 |
| 200+ | $0.5483 | $ 109.6600 |
| 500+ | $0.5289 | $ 264.4500 |
| 1000+ | $0.5199 | $ 519.9000 |
