| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GP3D020A120B |
| Référence EBEE | E86564916 |
| Boîtier | TO-247-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV 1.65V@20A 20A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $23.1254 | $ 23.1254 |
| 210+ | $9.2271 | $ 1937.6910 |
| 510+ | $8.9187 | $ 4548.5370 |
| 990+ | $8.7671 | $ 8679.4290 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | SemiQ GP3D020A120B | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 40uA@1200V | |
| Tension inverse (Vr) | 1.2kV | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.65V@20A | |
| Courant rectifié (Io) | 20A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $23.1254 | $ 23.1254 |
| 210+ | $9.2271 | $ 1937.6910 |
| 510+ | $8.9187 | $ 4548.5370 |
| 990+ | $8.7671 | $ 8679.4290 |
