| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GP3D010A120B |
| Référence EBEE | E86204048 |
| Boîtier | TO-247-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV 1.65V@10A 10A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.0373 | $ 15.0373 |
| 210+ | $6.0000 | $ 1260.0000 |
| 510+ | $5.7992 | $ 2957.5920 |
| 990+ | $5.7007 | $ 5643.6930 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | SemiQ GP3D010A120B | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 20uA@1200V | |
| Tension inverse (Vr) | 1.2kV | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.65V@10A | |
| Courant rectifié (Io) | 10A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.0373 | $ 15.0373 |
| 210+ | $6.0000 | $ 1260.0000 |
| 510+ | $5.7992 | $ 2957.5920 |
| 990+ | $5.7007 | $ 5643.6930 |
