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SemiQ GHXS100B065S-D3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GHXS100B065S-D3 |
| Référence EBEE | E86866959 |
| Boîtier | SOT-227 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 2 independent 1.65V@100A 193A SOT-227 SiC Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $92.2968 | $ 92.2968 |
| 200+ | $36.8282 | $ 7365.6400 |
| 500+ | $35.5961 | $ 17798.0500 |
| 1000+ | $34.9883 | $ 34988.3000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | SemiQ GHXS100B065S-D3 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 250uA@650V | |
| Tension inverse (Vr) | 650V | |
| Configuration à diode | 2 independent | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.65V@100A | |
| Courant rectifié (Io) | 193A |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $92.2968 | $ 92.2968 |
| 200+ | $36.8282 | $ 7365.6400 |
| 500+ | $35.5961 | $ 17798.0500 |
| 1000+ | $34.9883 | $ 34988.3000 |
