| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GHXS050A060S-D3 |
| Référence EBEE | E85718613 |
| Boîtier | SOT-227 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 2 independent 1.8V@50A 50A SOT-227 SiC Diodes ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $127.5771 | $ 127.5771 |
| 200+ | $50.9053 | $ 10181.0600 |
| 500+ | $49.2040 | $ 24602.0000 |
| 1000+ | $48.3626 | $ 48362.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | SemiQ GHXS050A060S-D3 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 100uA@600V | |
| Tension inverse (Vr) | 600V | |
| Configuration à diode | 2 independent | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.8V@50A | |
| Courant rectifié (Io) | 50A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $127.5771 | $ 127.5771 |
| 200+ | $50.9053 | $ 10181.0600 |
| 500+ | $49.2040 | $ 24602.0000 |
| 1000+ | $48.3626 | $ 48362.6000 |
