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SemiQ GHXS030A120S-D3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GHXS030A120S-D3 |
| Référence EBEE | E85718609 |
| Boîtier | SOT-227 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV 2 independent 1.7V@30A 30A SOT-227 SiC Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $81.9065 | $ 81.9065 |
| 200+ | $32.6828 | $ 6536.5600 |
| 500+ | $31.5903 | $ 15795.1500 |
| 1000+ | $31.0495 | $ 31049.5000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | SemiQ GHXS030A120S-D3 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 200uA@1200V | |
| Tension inverse (Vr) | 1.2kV | |
| Configuration à diode | 2 independent | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.7V@30A | |
| Courant rectifié (Io) | 30A |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $81.9065 | $ 81.9065 |
| 200+ | $32.6828 | $ 6536.5600 |
| 500+ | $31.5903 | $ 15795.1500 |
| 1000+ | $31.0495 | $ 31049.5000 |
