| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RJS6004WDPK-00#T0 |
| Référence EBEE | E83758196 |
| Boîtier | TO-3P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 1 pair of common cathodes 1.8V@10A 10A TO-3P SiC Diodes ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $45.0552 | $ 45.0552 |
| 200+ | $17.4375 | $ 3487.5000 |
| 500+ | $16.8237 | $ 8411.8500 |
| 1000+ | $16.5203 | $ 16520.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | RENESAS RJS6004WDPK-00#T0 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 10uA@600V | |
| Tension inverse (Vr) | 600V | |
| Configuration à diode | 1 pair of common cathodes | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1.8V@10A | |
| Courant rectifié (Io) | 10A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $45.0552 | $ 45.0552 |
| 200+ | $17.4375 | $ 3487.5000 |
| 500+ | $16.8237 | $ 8411.8500 |
| 1000+ | $16.5203 | $ 16520.3000 |
