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PN Junction Semiconductor P3D12020GS
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3D12020GS |
| Référence EBEE | E86249941 |
| Boîtier | TO-263S |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 1.2kV 50A TO-263S SiC Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $24.5619 | $ 24.5619 |
| 200+ | $9.8004 | $ 1960.0800 |
| 500+ | $9.4745 | $ 4737.2500 |
| 1000+ | $9.3125 | $ 9312.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3D12020GS | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 60uA@650V | |
| Tension inverse (Vr) | 1.2kV | |
| Courant rectifié (Io) | 50A |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $24.5619 | $ 24.5619 |
| 200+ | $9.8004 | $ 1960.0800 |
| 500+ | $9.4745 | $ 4737.2500 |
| 1000+ | $9.3125 | $ 9312.5000 |
