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PN Junction Semiconductor P3D12015T2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3D12015T2 |
| Référence EBEE | E86729725 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 1.2kV 34A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $25.2300 | $ 25.2300 |
| 200+ | $10.0669 | $ 2013.3800 |
| 500+ | $9.7310 | $ 4865.5000 |
| 1000+ | $9.5649 | $ 9564.9000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3D12015T2 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 50uA@650V | |
| Tension inverse (Vr) | 1.2kV | |
| Courant rectifié (Io) | 34A |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $25.2300 | $ 25.2300 |
| 200+ | $10.0669 | $ 2013.3800 |
| 500+ | $9.7310 | $ 4865.5000 |
| 1000+ | $9.5649 | $ 9564.9000 |
