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PN Junction Semiconductor P3D06006I2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3D06006I2 |
| Référence EBEE | E85823470 |
| Boîtier | TO-220I-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 650V 18A TO-220I-2 SiC Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1561 | $ 4.1561 |
| 200+ | $1.6590 | $ 331.8000 |
| 500+ | $1.6032 | $ 801.6000 |
| 1000+ | $1.5754 | $ 1575.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3D06006I2 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 30uA@650V | |
| Tension inverse (Vr) | 650V | |
| Courant rectifié (Io) | 18A |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1561 | $ 4.1561 |
| 200+ | $1.6590 | $ 331.8000 |
| 500+ | $1.6032 | $ 801.6000 |
| 1000+ | $1.5754 | $ 1575.4000 |
