| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FFSB20120A |
| Référence EBEE | E8605083 |
| Boîtier | TO-263 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV Independent Type 1.45V@20A 32A TO-263 SiC Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.7273 | $ 7.7273 |
| 10+ | $6.7096 | $ 67.0960 |
| 30+ | $6.0888 | $ 182.6640 |
| 100+ | $5.5681 | $ 556.8100 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Fiche Technique | onsemi FFSB20120A | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | [email protected] | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.45V@20A | |
| Current - Rectified | 32A |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.7273 | $ 7.7273 |
| 10+ | $6.7096 | $ 67.0960 |
| 30+ | $6.0888 | $ 182.6640 |
| 100+ | $5.5681 | $ 556.8100 |
