| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FFSB20120A-F085 |
| Référence EBEE | E8605084 |
| Boîtier | TO-263-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2kV Independent Type 1.45V@20A 32A TO-263-2 SiC Diodes ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.1259 | $ 13.1259 |
| 10+ | $9.7971 | $ 97.9710 |
| 30+ | $9.4984 | $ 284.9520 |
| 100+ | $9.2382 | $ 923.8200 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Fiche Technique | onsemi FFSB20120A-F085 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | [email protected] | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.45V@20A | |
| Current - Rectified | 32A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.1259 | $ 13.1259 |
| 10+ | $9.7971 | $ 97.9710 |
| 30+ | $9.4984 | $ 284.9520 |
| 100+ | $9.2382 | $ 923.8200 |
