| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 15GN03CA-TB-E |
| Référence EBEE | E8890035 |
| Boîtier | CP-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 10V 200mW 100@10mA,5V 70mA NPN CP-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1737 | $ 0.1737 |
| 200+ | $0.0673 | $ 13.4600 |
| 500+ | $0.0649 | $ 32.4500 |
| 1000+ | $0.0637 | $ 63.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar RF Transistors | |
| Fiche Technique | onsemi 15GN03CA-TB-E | |
| RoHS | ||
| Courant du collecteur (Ic) | 70mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200mW | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 10V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@10mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 1.5GHz | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1737 | $ 0.1737 |
| 200+ | $0.0673 | $ 13.4600 |
| 500+ | $0.0649 | $ 32.4500 |
| 1000+ | $0.0637 | $ 63.7000 |
