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onsemi MMBT5179
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MMBT5179 |
| Référence EBEE | E8416012 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 12V 350mW [email protected],1.0V 50mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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|---|---|---|
| 10+ | $0.0401 | $ 0.4010 |
| 100+ | $0.0321 | $ 3.2100 |
| 300+ | $0.0280 | $ 8.4000 |
| 3000+ | $0.0251 | $ 75.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,Bipolar (BJT) | |
| Fiche Technique | onsemi MMBT5179 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 12V | |
| Current - Collector(Ic) | 50mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 2.5V | |
| Current - Collector Cutoff | 1uA | |
| Transition frequency(fT) | 2GHz |
Guide d’achat
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