| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE2987 |
| Référence EBEE | E87321926 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 20A 120mΩ@5V,10A 105W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.7494 | $ 11.7494 |
| 200+ | $4.6897 | $ 937.9400 |
| 500+ | $4.5328 | $ 2266.4000 |
| 1000+ | $4.4544 | $ 4454.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE2987 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 20A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 120mΩ@5V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 105W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 90pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.5nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 30nC@5V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.7494 | $ 11.7494 |
| 200+ | $4.6897 | $ 937.9400 |
| 500+ | $4.5328 | $ 2266.4000 |
| 1000+ | $4.4544 | $ 4454.4000 |
