| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTE2383 |
| Référence EBEE | E87250207 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 10.5A 75W 300mΩ@10V,5.3A 4V@250uA 1 Piece P-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $23.6208 | $ 23.6208 |
| 200+ | $9.4246 | $ 1884.9200 |
| 500+ | $9.1110 | $ 4555.5000 |
| 1000+ | $8.9541 | $ 8954.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | NTE Electronics NTE2383 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10.5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 300mΩ@10V,5.3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 75W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 94pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 835pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 58nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $23.6208 | $ 23.6208 |
| 200+ | $9.4246 | $ 1884.9200 |
| 500+ | $9.1110 | $ 4555.5000 |
| 1000+ | $8.9541 | $ 8954.1000 |
