| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT8M100B |
| Référence EBEE | E83293074 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1kV 8A 1.8Ω@10V,4A 290W 5V@1mA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2754 | $ 5.2754 |
| 200+ | $2.0424 | $ 408.4800 |
| 500+ | $1.9696 | $ 984.8000 |
| 1000+ | $1.9359 | $ 1935.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT8M100B | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.8Ω@10V,4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 290W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@1mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.885nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 60nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2754 | $ 5.2754 |
| 200+ | $2.0424 | $ 408.4800 |
| 500+ | $1.9696 | $ 984.8000 |
| 1000+ | $1.9359 | $ 1935.9000 |
