| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT66F60B2 |
| Référence EBEE | E87077508 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 70A 90mΩ@10V,33A 1.135kW [email protected] 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $51.1068 | $ 51.1068 |
| 200+ | $20.3916 | $ 4078.3200 |
| 500+ | $19.7101 | $ 9855.0500 |
| 1000+ | $19.3738 | $ 19373.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT66F60B2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 70A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 90mΩ@10V,33A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.135kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 13.19nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 330nC@10V |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $51.1068 | $ 51.1068 |
| 200+ | $20.3916 | $ 4078.3200 |
| 500+ | $19.7101 | $ 9855.0500 |
| 1000+ | $19.3738 | $ 19373.8000 |
