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LGE LGE3D20120H
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | LGE3D20120H |
| Référence EBEE | E85358474 |
| Boîtier | TO-247-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1.2kV Independent Type 1.45V 20A TO-247-2L SiC Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | LGE LGE3D20120H | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 200uA@1200V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.45V | |
| Current - Rectified | 20A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guide d’achat
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