| Fabricant | |
| Référence Fabricant | LGE3D10065A |
| Référence EBEE | E86077541 |
| Boîtier | TO-220AC |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V Independent Type 1.45V 10A TO-220AC SiC Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8544 | $ 1.8544 |
| 10+ | $1.4801 | $ 14.8010 |
| 50+ | $1.2744 | $ 63.7200 |
| 100+ | $1.0409 | $ 104.0900 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | LGE LGE3D10065A | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | - | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.45V | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8544 | $ 1.8544 |
| 10+ | $1.4801 | $ 14.8010 |
| 50+ | $1.2744 | $ 63.7200 |
| 100+ | $1.0409 | $ 104.0900 |
