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KNSCHA KN3D10065G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | KN3D10065G |
| Référence EBEE | E85373124 |
| Boîtier | DFN-5(8x8) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 650V Independent Type 1.5V 10A DFN-5(8x8) SiC Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| Fiche Technique | KNSCHA KN3D10065G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V | |
| Current - Rectified | 10A |
Guide d’achat
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