| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV1D06010T2 |
| Référence EBEE | E85806830 |
| Boîtier | TO-247-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 10A TO-247-2 SiC Diodes ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.9659 | $ 2.9659 |
| 10+ | $2.5428 | $ 25.4280 |
| 30+ | $2.2133 | $ 66.3990 |
| 90+ | $1.9589 | $ 176.3010 |
| 510+ | $1.8408 | $ 938.8080 |
| 990+ | $1.7887 | $ 1770.8130 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | InventChip IV1D06010T2 | |
| RoHS | ||
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Current - Rectified | 10A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.9659 | $ 2.9659 |
| 10+ | $2.5428 | $ 25.4280 |
| 30+ | $2.2133 | $ 66.3990 |
| 90+ | $1.9589 | $ 176.3010 |
| 510+ | $1.8408 | $ 938.8080 |
| 990+ | $1.7887 | $ 1770.8130 |
