| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV1D06004O2 |
| Référence EBEE | E82979245 |
| Boîtier | TO-220-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V Independent Type 1.45V@4A 12.5A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3920 | $ 1.3920 |
| 10+ | $1.1503 | $ 11.5030 |
| 50+ | $0.9882 | $ 49.4100 |
| 100+ | $0.8383 | $ 83.8300 |
| 500+ | $0.7710 | $ 385.5000 |
| 1000+ | $0.7404 | $ 740.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | InventChip IV1D06004O2 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 1uA@650V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.45V@4A | |
| Current - Rectified | 12.5A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3920 | $ 1.3920 |
| 10+ | $1.1503 | $ 11.5030 |
| 50+ | $0.9882 | $ 49.4100 |
| 100+ | $0.8383 | $ 83.8300 |
| 500+ | $0.7710 | $ 385.5000 |
| 1000+ | $0.7404 | $ 740.4000 |
