| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IDL08G65C5 |
| Référence EBEE | E8535901 |
| Boîtier | VSON-4-EP(8.1x8.1) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V Independent Type 1.5V@8A 8A VSON-4-EP(8.1x8.1) SiC Diodes ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5287 | $ 1.5287 |
| 10+ | $1.4915 | $ 14.9150 |
| 30+ | $1.4652 | $ 43.9560 |
| 100+ | $1.4404 | $ 144.0400 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Diodes SiC | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IDL08G65C5 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 140uA@650V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@8A | |
| Current - Rectified | 8A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5287 | $ 1.5287 |
| 10+ | $1.4915 | $ 14.9150 |
| 30+ | $1.4652 | $ 43.9560 |
| 100+ | $1.4404 | $ 144.0400 |
